UM6012
自举工作上的浮地区域 最低操作的电压为+250 V 兼容3.3V，5V和15V键入逻辑学 dVs/dt耐热业务能力达到±50 V/ns Vs负偏压作用达-9V 栅极推动的电压从6V到20V 不符合RoSH标准化: SOIC8 (S) 欠压解锁领域阀值5.5V 欠压解锁负向阀值5V 死区周期人设200ns 开通4g传导如何延时Ton=150ns 关断传递延迟时间Toff =140ns 廷迟符合周期50ns 开起提升时间间隔：50ns 关上骤降日期：40ns 转换级拉直流电压：1.2A 灌瞬时电流技能：1.5A 额定容量最大功率：0.625W 岗位溫度：-40~ 125℃ 静电放电防防：>1.5KV (HBM)打包封装款式：SOIC8| Part number | Pre_driver | Vs(V) | Voltage (V) | Input logic | IO+/IO-(A) | DT(ns) | IBD | 5V LDO | 12V LDO | Channel num | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM6012 | 2N | 250 | 6-20 | HIN/LIN | +1.2A/-1.5A | 200 | -- | -- | -- | 1 | SOIC8 |
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